核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2008年
2期
100-104
,共5页
朱丹峰%杜光天%郭盘林%朱周侠%朱希恺%傅云清%胡伟%邹亚明
硃丹峰%杜光天%郭盤林%硃週俠%硃希愷%傅雲清%鬍偉%鄒亞明
주단봉%두광천%곽반림%주주협%주희개%부운청%호위%추아명
MEVVA离子源%电子束离子阱%离子注入
MEVVA離子源%電子束離子阱%離子註入
MEVVA리자원%전자속리자정%리자주입
为给上海电子束离子阱(Electron Beam Ion Traps,EBIT)装置提供低电荷离子,我们研制了小型金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源,可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子.本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验.实验结果显示,合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到108～109/cm3.
為給上海電子束離子阱(Electron Beam Ion Traps,EBIT)裝置提供低電荷離子,我們研製瞭小型金屬蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)離子源,可產生多種金屬以及半導體材料的低電荷離子.本文介紹小型MEVVA離子源的特性及其在上海EBIT裝置上的離子註入實驗.實驗結果顯示,閤理控製註入參數可以使註入併被束縳在EBIT中的離子數密度達到108～109/cm3.
위급상해전자속리자정(Electron Beam Ion Traps,EBIT)장치제공저전하리자,아문연제료소형금속증기진공호(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)리자원,가산생다충금속이급반도체재료적저전하리자.본문개소소형MEVVA리자원적특성급기재상해EBIT장치상적리자주입실험.실험결과현시,합리공제주입삼수가이사주입병피속박재EBIT중적리자수밀도체도108～109/cm3.
