高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究
고속침적μc-Si:H박막생장궤제급기미결구적연구
Study on the growth mechanism and microstructure of high rate growth μc-Si:H thin films
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2008年 1期 54-57 ,共4页

    韩晓艳%耿新华%郭群超%袁育杰%候国付%魏长春%张晓丹%孙建%薛俊明%赵颖%蔡宁%任慧志%张德坤

    한효염%경신화%곽군초%원육걸%후국부%위장춘%장효단%손건%설준명%조영%채저%임혜지%장덕곤

    微晶硅薄膜(μc-Si:H)%微结构%纵向均匀性%衬底形貌 微晶硅薄膜(μc-Si:H)%微結構%縱嚮均勻性%襯底形貌
    미정규박막(μc-Si:H)%미결구%종향균균성%츤저형모
    采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1 nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料.测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pin μc-Si:H太阳电池的μc-Si:H p型材料应具备的条件.
    채용고압고공솔적초고빈등리자체증강화학기상침적(VHF-PECVD)기술,재부식후적7059파리、저정화화고정화적미정규(μc-Si:H)p형재료3충츤저상,통과개변침적시간적방법,고속(침적속솔약위1 nm/s)침적료불동후도적μc-Si:H박막재료.측시기표면형모급정화솔,비교료불동츤저상고속생장적μc-Si:H박막생장궤제급미결구적차이,최후득도괄우고속침적pin μc-Si:H태양전지적μc-Si:H p형재료응구비적조건.
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