半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
175-178
,共4页
赵有文%吕小红%董志远%段满龙%孙文荣
趙有文%呂小紅%董誌遠%段滿龍%孫文榮
조유문%려소홍%동지원%단만룡%손문영
磷化铟%半绝缘%空位%填隙
燐化銦%半絕緣%空位%填隙
린화인%반절연%공위%전극
利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.
利用電學測試、正電子壽命譜和X射線衍射技術研究瞭原生和退火處理後InP單晶的空位和填隙缺陷.在原生摻鐵半絕緣InP單晶中含有空位缺陷,這些空位產生深能級電學補償缺陷,降低材料的電學性能.經高溫燐化鐵氣氛下退火處理非摻InP製備的半絕緣材料,空位被充分抑製,卻含有一定濃度填隙缺陷.根據實驗結果分析瞭填隙和空位缺陷對摻鐵半絕緣InP單晶材料電學性質和熱穩定性的影響.
이용전학측시、정전자수명보화X사선연사기술연구료원생화퇴화처리후InP단정적공위화전극결함.재원생참철반절연InP단정중함유공위결함,저사공위산생심능급전학보상결함,강저재료적전학성능.경고온린화철기분하퇴화처리비참InP제비적반절연재료,공위피충분억제,각함유일정농도전극결함.근거실험결과분석료전극화공위결함대참철반절연InP단정재료전학성질화열은정성적영향.
