微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2007年
11期
67-69
,共3页
静电放电%保护电路%互补式电容耦合电路
靜電放電%保護電路%互補式電容耦閤電路
정전방전%보호전로%호보식전용우합전로
提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路,它由互补式电容实现,结构与工艺简单.电路采用0.6μm1P2M CMOS工艺进行了验证,结果表明,ESD失效电压特性有较明显改善,可达3000V以上.
提齣瞭一種改進型的基于亞微米工藝中ESD保護電路,它由互補式電容實現,結構與工藝簡單.電路採用0.6μm1P2M CMOS工藝進行瞭驗證,結果錶明,ESD失效電壓特性有較明顯改善,可達3000V以上.
제출료일충개진형적기우아미미공예중ESD보호전로,타유호보식전용실현,결구여공예간단.전로채용0.6μm1P2M CMOS공예진행료험증,결과표명,ESD실효전압특성유교명현개선,가체3000V이상.
