半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
11期
1003-1006
,共4页
CMOS IC%静电放电%失效分析
CMOS IC%靜電放電%失效分析
CMOS IC%정전방전%실효분석
ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理.通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径.
ESD保護電路已經成為CMOS集成電路不可或缺的組成部分,在噹前CMOS IC特徵呎吋進入深亞微米時代後,如何避免由ESD應力導緻的保護電路的擊穿已經成為CMOS IC設計過程中一箇棘手的問題.光髮射顯微鏡利用瞭IC芯片失效點所產生的顯微紅外髮光現象可以對失效部位進行定位,結閤版圖分析以及微分析技術,如掃描電子顯微鏡SEM、聚焦離子束FIB等的應用可以揭示ESD保護電路的失效原因及其機理.通過對兩箇擊穿失效的CMOS功率ICESD保護電路實際案例的分析和研究,提齣瞭改進ESD保護電路版圖設計的途徑.
ESD보호전로이경성위CMOS집성전로불가혹결적조성부분,재당전CMOS IC특정척촌진입심아미미시대후,여하피면유ESD응력도치적보호전로적격천이경성위CMOS IC설계과정중일개극수적문제.광발사현미경이용료IC심편실효점소산생적현미홍외발광현상가이대실효부위진행정위,결합판도분석이급미분석기술,여소묘전자현미경SEM、취초리자속FIB등적응용가이게시ESD보호전로적실효원인급기궤리.통과대량개격천실효적CMOS공솔ICESD보호전로실제안례적분석화연구,제출료개진ESD보호전로판도설계적도경.
