n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合
n-GaAs화p-GaN정편적직접건합
Direct Bonding of n-GaAs and p-GaN Wafers
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 11期 1815-1817 ,共3页

    李慧%何国荣%渠红伟%石岩%种明%曹玉莲%陈良惠

    리혜%하국영%거홍위%석암%충명%조옥련%진량혜

    光电集成%直接键合%GaAs%GaN 光電集成%直接鍵閤%GaAs%GaN
    광전집성%직접건합%GaAs%GaN
    采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.
    채용직접건합적방법성공실현료n-GaAs화p-GaN정편적고질량건합.소묘전자현미경관측결과표명,건합계면몰유공동.건합전후광치발광보측시표명,건합공예대재료질량영향불대.실온하계면적전류-전압특성표명,건합득도적n-GaAs/p-GaN이질결위초특기이겁관병차이상인자위1.08.n-GaAs화p-GaN재료직접건합적성공대우집성GaAs화GaN재료제비광전집성기건유중요의의.
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