半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
11期
1748-1755
,共8页
朱林山%金石声%苟富均%谢泉
硃林山%金石聲%茍富均%謝泉
주림산%금석성%구부균%사천
分子动力学%二聚体%Tersoff势函数%势能
分子動力學%二聚體%Tersoff勢函數%勢能
분자동역학%이취체%Tersoff세함수%세능
利用Tersoff势函数,对300K时初始入射动能为0.03eV的单个Si原子从6个不同位置轰击Si(001)2×1重构表面的动力学过程进行了模拟.分析了入射Si原子的动能变化、势能变化以及其运动轨迹.结果表明:入射原子与表面原子相互作用几个皮秒后即可进入稳定位置,其与基底原子的结合能最大可以达到2.99eV;从位置1,2,3,4入射的原子不能使基底表面的二聚体键断开,而从位置5和位置6入射时,表面二聚体键的断开在入射原子与基底表面原子发生相互作用几十飞秒后即可完成.
利用Tersoff勢函數,對300K時初始入射動能為0.03eV的單箇Si原子從6箇不同位置轟擊Si(001)2×1重構錶麵的動力學過程進行瞭模擬.分析瞭入射Si原子的動能變化、勢能變化以及其運動軌跡.結果錶明:入射原子與錶麵原子相互作用幾箇皮秒後即可進入穩定位置,其與基底原子的結閤能最大可以達到2.99eV;從位置1,2,3,4入射的原子不能使基底錶麵的二聚體鍵斷開,而從位置5和位置6入射時,錶麵二聚體鍵的斷開在入射原子與基底錶麵原子髮生相互作用幾十飛秒後即可完成.
이용Tersoff세함수,대300K시초시입사동능위0.03eV적단개Si원자종6개불동위치굉격Si(001)2×1중구표면적동역학과정진행료모의.분석료입사Si원자적동능변화、세능변화이급기운동궤적.결과표명:입사원자여표면원자상호작용궤개피초후즉가진입은정위치,기여기저원자적결합능최대가이체도2.99eV;종위치1,2,3,4입사적원자불능사기저표면적이취체건단개,이종위치5화위치6입사시,표면이취체건적단개재입사원자여기저표면원자발생상호작용궤십비초후즉가완성.
