蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长
람보석츤저상원자급광활AlN외연층적MOCVD생장
Epitaxial Growth of Atomically Flat AlN Layers on Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 10期 1568-1573 ,共6页

    赵红%邹泽亚%赵文伯%刘挺%杨晓波%廖秀英%王振%周勇%刘万清

    조홍%추택아%조문백%류정%양효파%료수영%왕진%주용%류만청

    MOCVD%AlN%极性%原子级光滑 MOCVD%AlN%極性%原子級光滑
    MOCVD%AlN%겁성%원자급광활
    在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.
    재람보석츤저표면무담화、저Ⅴ/Ⅲ비적정황하,채용1200℃적츤저온도、5kPa반응실기압,용MOCVD방법재람보석츤저상생장출료표면원자급광활적AlN외연층.원자력현미경측시표명기평균조조도위0.44nm,X사선연사(0002)회파곡선FWHM위166".실험결과화분석표명,겁성화기상반응시영향AlN표면형모적주요원인.이원자급광활적AlN위모판생장출료고질량적고Al조분적n형AlGaN,증실료AlN모판구유교호적질량.
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