半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
10期
1584-1588
,共5页
宋久旭%杨银堂%柴常春%李跃进
宋久旭%楊銀堂%柴常春%李躍進
송구욱%양은당%시상춘%리약진
掺氮%电子结构%锯齿型单壁碳纳米管%第一性原理
摻氮%電子結構%鋸齒型單壁碳納米管%第一性原理
참담%전자결구%거치형단벽탄납미관%제일성원리
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.
基于密度汎函理論(DFT)框架下的第一性原理平麵波超軟贗勢方法,採用CASTEP軟件包,在分析摻氮碳納米管最可能存在方式併進行結構優化的基礎上,對不同摻氮濃度的單壁碳納米管的電子結構進行瞭計算,分析瞭摻雜碳納米管的能帶結構和態密度,結果錶明隨著摻雜濃度的增加能帶間隙呈現減小的趨勢.
기우밀도범함이론(DFT)광가하적제일성원리평면파초연안세방법,채용CASTEP연건포,재분석참담탄납미관최가능존재방식병진행결구우화적기출상,대불동참담농도적단벽탄납미관적전자결구진행료계산,분석료참잡탄납미관적능대결구화태밀도,결과표명수착참잡농도적증가능대간극정현감소적추세.
