半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
6期
883-886
,共4页
陈瑶%周玉琴%张群芳%朱美芳%刘丰珍%刘金龙%陈诺夫
陳瑤%週玉琴%張群芳%硃美芳%劉豐珍%劉金龍%陳諾伕
진요%주옥금%장군방%주미방%류봉진%류금룡%진낙부
ITO薄膜%反应热蒸发%优先取向%性能指数
ITO薄膜%反應熱蒸髮%優先取嚮%性能指數
ITO박막%반응열증발%우선취향%성능지수
采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
採用反應熱蒸髮法製備摻Sn的In2O3(ITO)透明導電膜,繫統研究瞭ITO薄膜生長的優先取嚮對其光電性能的影響.結果錶明,ITO薄膜(400)取嚮的優先生長對其透過率影響很小,但可明顯增加載流子遷移率,從而有效降低瞭薄膜的方塊電阻.在兩箇相同的薄膜硅/單晶硅太暘能電池上分彆沉積(222)和(400)ITO優先取嚮膜,光電轉換效率分彆為10.3%和12.9%,錶明(400)取嚮更有利于提高電池效率.經優化,最佳襯底溫度(Ts)為225℃,最佳氧流量(fO2)為4sccm.在優化的沉積條件下製備ITO薄膜,其電阻率可達到4.8×10-4Ω·cm,可見波段的透過率大于90%,性能指數為3.8×10-2□/Ω.
채용반응열증발법제비참Sn적In2O3(ITO)투명도전막,계통연구료ITO박막생장적우선취향대기광전성능적영향.결과표명,ITO박막(400)취향적우선생장대기투과솔영향흔소,단가명현증가재류자천이솔,종이유효강저료박막적방괴전조.재량개상동적박막규/단정규태양능전지상분별침적(222)화(400)ITO우선취향막,광전전환효솔분별위10.3%화12.9%,표명(400)취향경유리우제고전지효솔.경우화,최가츤저온도(Ts)위225℃,최가양류량(fO2)위4sccm.재우화적침적조건하제비ITO박막,기전조솔가체도4.8×10-4Ω·cm,가견파단적투과솔대우90%,성능지수위3.8×10-2□/Ω.
