微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2007年
2期
11-13
,共3页
程新红%杨文伟%宋朝瑞%俞跃辉%姜丽娟%王芳
程新紅%楊文偉%宋朝瑞%俞躍輝%薑麗娟%王芳
정신홍%양문위%송조서%유약휘%강려연%왕방
SOI材料%功率器件%LDMOS功率
SOI材料%功率器件%LDMOS功率
SOI재료%공솔기건%LDMOS공솔
根据REUSRF原理,对器件参数进行优化.采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件.器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发.
根據REUSRF原理,對器件參數進行優化.採用與常規CMOS工藝兼容的技術,在SIMOX片上製備瞭薄膜SOI LDMOS功率器件.器件呈現良好的電學性能:漏極偏壓5V時,洩漏電流僅為1nA;噹漂移區長度為4μm時,關態擊穿電壓達到50V,開態擊穿電壓大于20V;器件的輸齣麯線在飽和區光滑,未呈現翹麯現象,說明體接觸有效地抑製瞭部分耗儘器件的浮體效應.這種SOI LDMOS結構非常適閤高溫環境下功率電子方麵的應用開髮.
근거REUSRF원리,대기건삼수진행우화.채용여상규CMOS공예겸용적기술,재SIMOX편상제비료박막SOI LDMOS공솔기건.기건정현량호적전학성능:루겁편압5V시,설루전류부위1nA;당표이구장도위4μm시,관태격천전압체도50V,개태격천전압대우20V;기건적수출곡선재포화구광활,미정현교곡현상,설명체접촉유효지억제료부분모진기건적부체효응.저충SOI LDMOS결구비상괄합고온배경하공솔전자방면적응용개발.
