半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
1期
52-55
,共4页
符黎明%杨德仁%马向阳%郭杨%阙端麟
符黎明%楊德仁%馬嚮暘%郭楊%闕耑麟
부려명%양덕인%마향양%곽양%궐단린
直拉单晶硅%氧沉淀%消融%再生长
直拉單晶硅%氧沉澱%消融%再生長
직랍단정규%양침정%소융%재생장
重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.
重點研究瞭直拉(CZ)硅中氧沉澱在快速熱處理(RTP)和常規爐退火過程中的高溫消融以及再生長行為.實驗髮現,RTP是一種快速消融氧沉澱的有效方式,比常規爐退火消融氧沉澱更加顯著.硅片經RTP消融處理後,在氧沉澱再生長退火過程中,硅中體微缺陷(BMD)的密度顯著增加,BMD的平均呎吋略有增加;而經過常規爐退火消融處理後,在後續退火過程中,BMD的密度變化不大,但BMD的呎吋明顯增大.氧沉澱消融處理後,後續退火的溫度越高,氧沉澱的再生長越快.
중점연구료직랍(CZ)규중양침정재쾌속열처리(RTP)화상규로퇴화과정중적고온소융이급재생장행위.실험발현,RTP시일충쾌속소융양침정적유효방식,비상규로퇴화소융양침정경가현저.규편경RTP소융처리후,재양침정재생장퇴화과정중,규중체미결함(BMD)적밀도현저증가,BMD적평균척촌략유증가;이경과상규로퇴화소융처리후,재후속퇴화과정중,BMD적밀도변화불대,단BMD적척촌명현증대.양침정소융처리후,후속퇴화적온도월고,양침정적재생장월쾌.
