场发射硅锥阵列的干法制备与研究
장발사규추진렬적간법제비여연구
Fabrication of Silicon Tip Array in Field Emission Pressure Sensor by Reactive Ion Etching
  • 万方数据
    微细加工技术 미세가공기술
    MICROFABRICATION TECHNOLOGY
    2006年 1期 56-60 ,共5页

    王芸%徐东%吴茂松%王莉%钱开友%叶枝灿%蔡炳初

    왕예%서동%오무송%왕리%전개우%협지찬%채병초

    硅锥%干法刻蚀%RIE%场发射 硅錐%榦法刻蝕%RIE%場髮射
    규추%간법각식%RIE%장발사
    阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm～35 nm且具有良好一致性的尖锥.当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定.
    천술료용우장발사압력전감기발사음겁적규추진렬적간법제비공예,용반응리자각식(RIE)적방법재76 mm(3 in.)적저조규편상제비출52개균균분포적10×12적규추진렬,득도료곡솔반경위25 nm～35 nm차구유량호일치성적첨추.당진렬적장발사기시전압위1.4 V/μm,장강위9.2 V/μm시,단개규추적발사전류체도8.3 nA,병차성능교위은정.
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