电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
8期
4-7,10
,共5页
张富春%邓周虎%阎军锋%允江妮%张志勇
張富春%鄧週虎%閻軍鋒%允江妮%張誌勇
장부춘%산주호%염군봉%윤강니%장지용
半导体技术%ZnO%第一性原理%电子结构%掺杂%透明导电薄膜
半導體技術%ZnO%第一性原理%電子結構%摻雜%透明導電薄膜
반도체기술%ZnO%제일성원리%전자결구%참잡%투명도전박막
计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响.所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021 cm-3;Al:2.58×1021 cm-3;In:2.53×1021 cm-3),明显提高了体系的电导率.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.
計算瞭Ga、Al、In摻雜ZnO體繫電子結構,分析瞭摻雜對ZnO晶體的結構、能帶、電子態密度、差分電荷分佈的影響.所有計算,都是基于密度汎函理論(DFT)框架下的第一性原理平麵波超軟贗勢方法.計算結果錶明:在導帶底引入瞭大量由摻雜原子貢獻的導電載流子(Ga:2.57×1021 cm-3;Al:2.58×1021 cm-3;In:2.53×1021 cm-3),明顯提高瞭體繫的電導率.同時,光學帶隙展寬,且嚮低能方嚮漂移,可作為優良的透明導電薄膜材料.
계산료Ga、Al、In참잡ZnO체계전자결구,분석료참잡대ZnO정체적결구、능대、전자태밀도、차분전하분포적영향.소유계산,도시기우밀도범함이론(DFT)광가하적제일성원리평면파초연안세방법.계산결과표명:재도대저인입료대량유참잡원자공헌적도전재류자(Ga:2.57×1021 cm-3;Al:2.58×1021 cm-3;In:2.53×1021 cm-3),명현제고료체계적전도솔.동시,광학대극전관,차향저능방향표이,가작위우량적투명도전박막재료.
