半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
10期
1945-1948
,共4页
庄春泉%汤英文%黄杨程%吕衍秋%龚海梅
莊春泉%湯英文%黃楊程%呂衍鞦%龔海梅
장춘천%탕영문%황양정%려연추%공해매
InP%ZnS%硫化%MIS二极管
InP%ZnS%硫化%MIS二極管
InP%ZnS%류화%MIS이겁관
在(NH4)2S硫化后的n-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au/ZnS/InP(100)MIS器件,测得了其I-Ⅴ特性曲线以及3MHz下的高频G-V曲线和100Hz下的准静态G-V曲线.从这些曲线得到如下结果:正向饱和电流为7×10-13A;ZnS钝化下经硫化的n-型InP表面的固定电荷密度为-2.28×1011/cm2;禁带中的最低表面态密度约为1×1012cm-2·eV-1.上述结果表明经硫化后的ZnS/InP界面具有良好的界面特性.
在(NH4)2S硫化後的n-型InP襯底上熱蒸髮ZnS薄膜製得Au/ZnS/InP(100)MIS器件,測得瞭其I-Ⅴ特性麯線以及3MHz下的高頻G-V麯線和100Hz下的準靜態G-V麯線.從這些麯線得到如下結果:正嚮飽和電流為7×10-13A;ZnS鈍化下經硫化的n-型InP錶麵的固定電荷密度為-2.28×1011/cm2;禁帶中的最低錶麵態密度約為1×1012cm-2·eV-1.上述結果錶明經硫化後的ZnS/InP界麵具有良好的界麵特性.
재(NH4)2S류화후적n-형InP츤저상열증발ZnS박막제득Au/ZnS/InP(100)MIS기건,측득료기I-Ⅴ특성곡선이급3MHz하적고빈G-V곡선화100Hz하적준정태G-V곡선.종저사곡선득도여하결과:정향포화전류위7×10-13A;ZnS둔화하경류화적n-형InP표면적고정전하밀도위-2.28×1011/cm2;금대중적최저표면태밀도약위1×1012cm-2·eV-1.상술결과표명경류화후적ZnS/InP계면구유량호적계면특성.
