微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2000年
6期
422-425
,共4页
碳化硅器件%器件工艺%半导体材料
碳化硅器件%器件工藝%半導體材料
탄화규기건%기건공예%반도체재료
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可工作在从直流到微波频率范围.文章阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势.
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,適用于製作高壓、高功率和高溫器件,併可工作在從直流到微波頻率範圍.文章闡述瞭SiC材料的性質,詳細介紹瞭SiC器件工藝(摻雜、刻蝕、氧化及金屬半導體接觸)的最新進展,併指齣瞭存在的問題及髮展趨勢.
탄화규(SiC)시일충관금대반도체재료,괄용우제작고압、고공솔화고온기건,병가공작재종직류도미파빈솔범위.문장천술료SiC재료적성질,상세개소료SiC기건공예(참잡、각식、양화급금속반도체접촉)적최신진전,병지출료존재적문제급발전추세.
