光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2005年
1期
10-15
,共6页
放大自发辐射%二聚物%增益
放大自髮輻射%二聚物%增益
방대자발복사%이취물%증익
利用微波放电激励高纯氮,并采用放大自发辐射法,研究了不同微波激励功率和不同N2气压条件下N2分子二聚物352.3 nm辐射的增益特性.给出了沿放电管轴线N2分子二聚物352.3 nm辐射的小信号增益系数随微波激励功率和充入放电管N2气压变化的规律.研究结果表明当微波功率大于100 W时,充入N2气压在330～1 800 Pa范围内,N2分子二聚物在352.3 nm处存在受激辐射特性.当微波功率为500 W,充入放电管的N2气压为1 100 Pa时,N2分子二聚物352.3 nm辐射的小信号增益系数最大为1.08% cm-1.另外,还给出了N2分子二聚物352.3 nm辐射增益沿放电管径向分布情况. N2分子二聚物352.3 nm辐射的增益系数在放电管中心最小,接近管壁时最大.
利用微波放電激勵高純氮,併採用放大自髮輻射法,研究瞭不同微波激勵功率和不同N2氣壓條件下N2分子二聚物352.3 nm輻射的增益特性.給齣瞭沿放電管軸線N2分子二聚物352.3 nm輻射的小信號增益繫數隨微波激勵功率和充入放電管N2氣壓變化的規律.研究結果錶明噹微波功率大于100 W時,充入N2氣壓在330～1 800 Pa範圍內,N2分子二聚物在352.3 nm處存在受激輻射特性.噹微波功率為500 W,充入放電管的N2氣壓為1 100 Pa時,N2分子二聚物352.3 nm輻射的小信號增益繫數最大為1.08% cm-1.另外,還給齣瞭N2分子二聚物352.3 nm輻射增益沿放電管徑嚮分佈情況. N2分子二聚物352.3 nm輻射的增益繫數在放電管中心最小,接近管壁時最大.
이용미파방전격려고순담,병채용방대자발복사법,연구료불동미파격려공솔화불동N2기압조건하N2분자이취물352.3 nm복사적증익특성.급출료연방전관축선N2분자이취물352.3 nm복사적소신호증익계수수미파격려공솔화충입방전관N2기압변화적규률.연구결과표명당미파공솔대우100 W시,충입N2기압재330～1 800 Pa범위내,N2분자이취물재352.3 nm처존재수격복사특성.당미파공솔위500 W,충입방전관적N2기압위1 100 Pa시,N2분자이취물352.3 nm복사적소신호증익계수최대위1.08% cm-1.령외,환급출료N2분자이취물352.3 nm복사증익연방전관경향분포정황. N2분자이취물352.3 nm복사적증익계수재방전관중심최소,접근관벽시최대.
