自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究
자조직생장단층InAs양자점결구중침윤층여양자점발광적시간분변보연구
Studies on Time-resolved Photoluminescence Spectrum of Wetting Layer and Quantum Dots in the Structure of Self-organized Quantum Dots
  • 万方数据
    量子电子学报 양자전자학보
    CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
    2003年 2期 208-212 ,共5页

    孔令民%蔡加法%陈主荣%吴正云%牛智川

    공령민%채가법%진주영%오정운%우지천

    InAs量子点%浸润层%时间分辨谱 InAs量子點%浸潤層%時間分辨譜
    InAs양자점%침윤층%시간분변보
    在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.
    재GaAs(100)적츤저상,채용MBE자조직방법생장료단층층후분별위2화2.5 ML적InAs층.통과원자력현미경(AFM)관찰,증실이재InAs층중형성양자점.채용광치발광보급시간분변보대InAs양자점급침윤층개전연구화대비,분석료단층InAs양자점화침윤층중적재류자천이과정,교호지해석료실험결과.
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