光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2002年
9期
889-892
,共4页
杜金会%于振瑞%张加友%杨嘉%郭淑华
杜金會%于振瑞%張加友%楊嘉%郭淑華
두금회%우진서%장가우%양가%곽숙화
太阳能电池%硫化锡(SnS)薄膜%电沉积法%光学带隙
太暘能電池%硫化錫(SnS)薄膜%電沉積法%光學帶隙
태양능전지%류화석(SnS)박막%전침적법%광학대극
采用了电沉积法在SnO2透明导电玻璃上制备了硫化锡(SnS)薄膜,并对用电化学法实现Sn和S共沉积的条件参数进行了理论探讨.实验中,利用SnCl2和Na2S2O3的混合水溶液作为电沉积液制备了均匀的SnS薄膜,对实验参数进行了优化. 对薄膜进行了X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)测量及光学测试. 实验发现,制备的薄膜为多晶的斜方晶系结构, 晶粒大小约为150 nm, 直接光学带隙在1.36～1.73 eV之间可调.
採用瞭電沉積法在SnO2透明導電玻璃上製備瞭硫化錫(SnS)薄膜,併對用電化學法實現Sn和S共沉積的條件參數進行瞭理論探討.實驗中,利用SnCl2和Na2S2O3的混閤水溶液作為電沉積液製備瞭均勻的SnS薄膜,對實驗參數進行瞭優化. 對薄膜進行瞭X-射線衍射(XRD)、掃描電子顯微(SEM)測量及光學測試. 實驗髮現,製備的薄膜為多晶的斜方晶繫結構, 晶粒大小約為150 nm, 直接光學帶隙在1.36～1.73 eV之間可調.
채용료전침적법재SnO2투명도전파리상제비료류화석(SnS)박막,병대용전화학법실현Sn화S공침적적조건삼수진행료이론탐토.실험중,이용SnCl2화Na2S2O3적혼합수용액작위전침적액제비료균균적SnS박막,대실험삼수진행료우화. 대박막진행료X-사선연사(XRD)、소묘전자현미(SEM)측량급광학측시. 실험발현,제비적박막위다정적사방정계결구, 정립대소약위150 nm, 직접광학대극재1.36～1.73 eV지간가조.
