半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2002年
12期
68-71
,共4页
康爱国%孟祥提%王吉林%贾宏勇%陈培毅%钱佩信
康愛國%孟祥提%王吉林%賈宏勇%陳培毅%錢珮信
강애국%맹상제%왕길림%가굉용%진배의%전패신
SiGe HBT%Si BJT%γ射线辐照%直流电学特性
SiGe HBT%Si BJT%γ射線輻照%直流電學特性
SiGe HBT%Si BJT%γ사선복조%직류전학특성
比较了经剂量为400 krad(Si)的Y射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化.通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级.表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释.
比較瞭經劑量為400 krad(Si)的Y射線輻照後SiGe HBT和Si BJT直流電學性能的變化.通常SiGe HBT輻照後的Ib增加,Ic下降,直流放大倍數變化很小;Si BJT輻照後的Ib增加,而Ic通常也增加,併且變化幅度很大,直流放大倍數明顯下降,相同劑量下變化幅度比SiGe HBT約高一箇量級.錶明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗輻照性能,併對輻照導緻的電特性的變化原因進行瞭初步解釋.
비교료경제량위400 krad(Si)적Y사선복조후SiGe HBT화Si BJT직류전학성능적변화.통상SiGe HBT복조후적Ib증가,Ic하강,직류방대배수변화흔소;Si BJT복조후적Ib증가,이Ic통상야증가,병차변화폭도흔대,직류방대배수명현하강,상동제량하변화폭도비SiGe HBT약고일개량급.표명SiGe HBT비Si BJT유경호적항복조성능,병대복조도치적전특성적변화원인진행료초보해석.
