纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象
납미4-H탄화규박막적참잡현상
Doping of Nanocrystalline Four Hexagnol Silicon Carbide Films
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2002年 7期 722-724 ,共3页

    张洪涛%徐重阳%邹雪城%王长安%赵伯芳%周雪梅%曾祥兵

    장홍도%서중양%추설성%왕장안%조백방%주설매%증상병

    SiC薄膜%纳米结构%掺杂%电导率Meyer-Neldel规则 SiC薄膜%納米結構%摻雜%電導率Meyer-Neldel規則
    SiC박막%납미결구%참잡%전도솔Meyer-Neldel규칙
    对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.
    대납미정SiC박막진행료P화B적참잡,B참잡효솔비P고,기암전도예전인자여격활능준수Meyer-Neldel규칙,병유반전Meyer-Neldel규칙출현.참잡효솔비비정태탄화규박막고시납미탄화규박막적특점지일.비정태중적수천화변계투사대수운유일정공헌.
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