真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2002年
5期
33-35
,共3页
半导体%产生寿命%计算机辅助测量
半導體%產生壽命%計算機輔助測量
반도체%산생수명%계산궤보조측량
提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法.通过在MOS C-t曲线上读取n个不同时刻的电容值,计算出相应的产生寿命值,其精度随读取点的增加而提高,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统.
提齣瞭MOS電容線性電壓掃描法產生壽命測量的新方法.通過在MOS C-t麯線上讀取n箇不同時刻的電容值,計算齣相應的產生壽命值,其精度隨讀取點的增加而提高,該方法也特彆適閤于計算機輔助測量繫統.
제출료MOS전용선성전압소묘법산생수명측량적신방법.통과재MOS C-t곡선상독취n개불동시각적전용치,계산출상응적산생수명치,기정도수독취점적증가이제고,해방법야특별괄합우계산궤보조측량계통.
