光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2002年
2期
162-164
,共3页
光波导%模式耦合%高斯光束
光波導%模式耦閤%高斯光束
광파도%모식우합%고사광속
本文研究了Si基SiO2光波导与高斯光束之间的耦合.用有效折射率法计算了波导TE模基模的分布;实验测试了与光斑直径小于10 μm的高斯光束的耦合位置允许误差.结果表明归一化耦合比在50 %以上时,x-y方向的位置误差应该在±5 μm内,z方向位置误差在±200 μm.
本文研究瞭Si基SiO2光波導與高斯光束之間的耦閤.用有效摺射率法計算瞭波導TE模基模的分佈;實驗測試瞭與光斑直徑小于10 μm的高斯光束的耦閤位置允許誤差.結果錶明歸一化耦閤比在50 %以上時,x-y方嚮的位置誤差應該在±5 μm內,z方嚮位置誤差在±200 μm.
본문연구료Si기SiO2광파도여고사광속지간적우합.용유효절사솔법계산료파도TE모기모적분포;실험측시료여광반직경소우10 μm적고사광속적우합위치윤허오차.결과표명귀일화우합비재50 %이상시,x-y방향적위치오차응해재±5 μm내,z방향위치오차재±200 μm.
