物理学报
物理學報
물이학보
2002年
2期
372-376
,共5页
卢励吾%张砚华%J.Wang%Weikun Ge
盧勵吾%張硯華%J.Wang%Weikun Ge
로려오%장연화%J.Wang%Weikun Ge
分子束外延生长%高电子迁移率超高速微结构功能材料%深中心
分子束外延生長%高電子遷移率超高速微結構功能材料%深中心
분자속외연생장%고전자천이솔초고속미결구공능재료%심중심
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和P|HEMT结构的n|AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到P|HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.
應用深能級瞬態譜(DLTS)技術研究分子束外延(MBE)生長的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)結構深中心行為.樣品的DLTS譜錶明,在HEMT和P|HEMT結構的n|AlGaAs層裏存在著較大濃度(1015-1017cm-3)和俘穫截麵(10-16cm2)的近禁帶中部電子陷阱.它們可能與AlGaAs層的氧含量有關.同時還觀察到P|HEMT結構晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs繫統在AlGaAs裏產生的應力引起DX中心(與硅有關)能級位置的有序移動.其移動量可作為應力大小的一箇判據,錶明DLTS技術是定性識彆此應力的可靠和簡便的工具.
응용심능급순태보(DLTS)기술연구분자속외연(MBE)생장적high electron mobility transistors (HEMT)화Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)결구심중심행위.양품적DLTS보표명,재HEMT화P|HEMT결구적n|AlGaAs층리존재착교대농도(1015-1017cm-3)화부획절면(10-16cm2)적근금대중부전자함정.타문가능여AlGaAs층적양함량유관.동시환관찰도P|HEMT결구정격불필배적AlGaAs InGaAs GaAs계통재AlGaAs리산생적응력인기DX중심(여규유관)능급위치적유서이동.기이동량가작위응력대소적일개판거,표명DLTS기술시정성식별차응력적가고화간편적공구.
