高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2001年
7期
1201-1204
,共4页
杨毅芸%周志有%吴启辉%郑明森%谷艳娟%陈声培%孙世刚
楊毅蕓%週誌有%吳啟輝%鄭明森%穀豔娟%陳聲培%孫世剛
양의예%주지유%오계휘%정명삼%곡염연%진성배%손세강
Pt(110)单晶电极%Sb不可逆吸附%吸附原子%甲酸氧化反应动力学
Pt(110)單晶電極%Sb不可逆吸附%吸附原子%甲痠氧化反應動力學
Pt(110)단정전겁%Sb불가역흡부%흡부원자%갑산양화반응동역학
研究了Sb在Pt(110)晶面上不可逆吸附电化学特性及甲酸在Sbad修饰Pt(110)电极［Pt(110)/Sb］上的电催化氧化特征及其反应动力学. 发现当扫描电位的上限Eu≤0.45 V 时， Sbad可稳定地吸附在Pt(110)表面上，从而有效地抑制了甲酸的解离吸附. 与未修饰的Pt(110)上的结果相比，在Pt(110)/Sb上甲酸氧化的峰电位负移了0.35 V. 当θSb=0.126时, Pt(110)/Sb电极对甲酸的电催化活性最高. 还研究了Pt(110)/Sb上甲酸氧化反应的动力学，定量解析了不同θSb下甲酸氧化的速度常数kf和传递系数β.
研究瞭Sb在Pt(110)晶麵上不可逆吸附電化學特性及甲痠在Sbad脩飾Pt(110)電極［Pt(110)/Sb］上的電催化氧化特徵及其反應動力學. 髮現噹掃描電位的上限Eu≤0.45 V 時， Sbad可穩定地吸附在Pt(110)錶麵上，從而有效地抑製瞭甲痠的解離吸附. 與未脩飾的Pt(110)上的結果相比，在Pt(110)/Sb上甲痠氧化的峰電位負移瞭0.35 V. 噹θSb=0.126時, Pt(110)/Sb電極對甲痠的電催化活性最高. 還研究瞭Pt(110)/Sb上甲痠氧化反應的動力學，定量解析瞭不同θSb下甲痠氧化的速度常數kf和傳遞繫數β.
연구료Sb재Pt(110)정면상불가역흡부전화학특성급갑산재Sbad수식Pt(110)전겁［Pt(110)/Sb］상적전최화양화특정급기반응동역학. 발현당소묘전위적상한Eu≤0.45 V 시， Sbad가은정지흡부재Pt(110)표면상，종이유효지억제료갑산적해리흡부. 여미수식적Pt(110)상적결과상비，재Pt(110)/Sb상갑산양화적봉전위부이료0.35 V. 당θSb=0.126시, Pt(110)/Sb전겁대갑산적전최화활성최고. 환연구료Pt(110)/Sb상갑산양화반응적동역학，정량해석료불동θSb하갑산양화적속도상수kf화전체계수β.
