稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
6期
1085-1087
,共3页
彭龙新%李建平%林金庭%魏同立
彭龍新%李建平%林金庭%魏同立
팽룡신%리건평%림금정%위동립
微波单片集成电路%低功耗%赝配高电子迁移率晶体管%低噪声放大器
微波單片集成電路%低功耗%贗配高電子遷移率晶體管%低譟聲放大器
미파단편집성전로%저공모%안배고전자천이솔정체관%저조성방대기
报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.
報道瞭一種新型的C波段0.5μm PHEMT單片低功耗低譟聲放大器.該放大器由三級級聯構成,採用電流迴收技術,實現瞭低功耗的目的.芯片麵積為2.1×1.8 mm2,直流功耗為125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封裝後測試結果為:在C波段,帶寬1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,譟聲繫數≤1.72dB,輸入、輸齣電壓駐波＜2:1;帶內最小譟聲繫數為1.61dB,相關增益為26.3dB.測量結果與設計符閤得較好.
보도료일충신형적C파단0.5μm PHEMT단편저공모저조성방대기.해방대기유삼급급련구성,채용전류회수기술,실현료저공모적목적.심편면적위2.1×1.8 mm2,직류공모위125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).봉장후측시결과위:재C파단,대관1.1 GHz,증익＞25.7dB,증익평탄도≤±0.6dB,조성계수≤1.72dB,수입、수출전압주파＜2:1;대내최소조성계수위1.61dB,상관증익위26.3dB.측량결과여설계부합득교호.
