传感器技术
傳感器技術
전감기기술
JOURNAL OF TRANSDUCER TECHNOLOGY
2005年
3期
84-85,88
,共3页
李春明%张彤%刘丽%徐宝琨
李春明%張彤%劉麗%徐寶琨
리춘명%장동%류려%서보곤
膜式%气体传感器%有限元分析%功耗%温度分布
膜式%氣體傳感器%有限元分析%功耗%溫度分佈
막식%기체전감기%유한원분석%공모%온도분포
利用SiO2相对于SiNx有更低的热导率,作为膜式微气体传感器的热绝缘和电绝缘层,而单晶Si适合通过各向异性腐蚀形成倒杯状结构来支撑SiO2膜.将膜式微气体传感器中的加热器和信号电极设计在一个平面上,以减小工艺复杂度,获得较高的加热效率.利用有限元分析工具ANSYS分析比较加热器和信号电极在不同宽度与间距时的温度分布.当设定加热器宽度为50μm,信号电极宽度 50μm,加热器和信号电极间距为25μm,微气体传感器将获得更低的功耗和比较均匀的中心温度分布,有利于传感器整体性能的提高.
利用SiO2相對于SiNx有更低的熱導率,作為膜式微氣體傳感器的熱絕緣和電絕緣層,而單晶Si適閤通過各嚮異性腐蝕形成倒杯狀結構來支撐SiO2膜.將膜式微氣體傳感器中的加熱器和信號電極設計在一箇平麵上,以減小工藝複雜度,穫得較高的加熱效率.利用有限元分析工具ANSYS分析比較加熱器和信號電極在不同寬度與間距時的溫度分佈.噹設定加熱器寬度為50μm,信號電極寬度 50μm,加熱器和信號電極間距為25μm,微氣體傳感器將穫得更低的功耗和比較均勻的中心溫度分佈,有利于傳感器整體性能的提高.
이용SiO2상대우SiNx유경저적열도솔,작위막식미기체전감기적열절연화전절연층,이단정Si괄합통과각향이성부식형성도배상결구래지탱SiO2막.장막식미기체전감기중적가열기화신호전겁설계재일개평면상,이감소공예복잡도,획득교고적가열효솔.이용유한원분석공구ANSYS분석비교가열기화신호전겁재불동관도여간거시적온도분포.당설정가열기관도위50μm,신호전겁관도 50μm,가열기화신호전겁간거위25μm,미기체전감기장획득경저적공모화비교균균적중심온도분포,유리우전감기정체성능적제고.
