氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性
안화Si기Ga2O3/BN박막제비GaN납미선급기발광특성
  • 万方数据
    科学通报 과학통보
    CHINESE SCIENCE BULLETIN
    2006年 13期 1500-1503 ,共4页

    薛成山%吴玉新%庄惠照%田德恒%刘亦安%何建廷%艾玉杰%孙莉莉%王福学

    설성산%오옥신%장혜조%전덕항%류역안%하건정%애옥걸%손리리%왕복학

    磁控溅射%氮化镓纳米线%光致发光 磁控濺射%氮化鎵納米線%光緻髮光
    자공천사%담화가납미선%광치발광
    利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
    이용사빈자공천사기술재Si(111)츤저상제비Ga2O3/BN박막,연후재안기중퇴화합성료대량적일유GaN납미선.X사선연사、선구전자연사화부립협홍외흡수광보적분석결과표명,제비적GaN납미선위륙방섬자광결구.이용소묘전자현미경화고분변투사전자현미경관찰발현,납미선구유십분광활차간정적표면,기직경위40～160 nm좌우,전형적납미선장체궤십미미.실온하이300 nm파장적광격발양품표면,현시출교강적363 nm적자외광발사화422 nm처적자광발사.령외,간단토론료GaN납미선적생장궤제.
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