半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
10期
863-866
,共4页
毛明华%尹以安%刘宝林%张保平
毛明華%尹以安%劉寶林%張保平
모명화%윤이안%류보림%장보평
有限元方法%三维网络模型%电极%电流扩展
有限元方法%三維網絡模型%電極%電流擴展
유한원방법%삼유망락모형%전겁%전류확전
针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二极管电极的位置有关,而且依赖于器件的结构参数.以电流扩展不均为指标确定出这四种器件中最佳的电极位置分布,同时对最佳电极位置分布的器件进行了结构参数优化,结果表明当p型金属层方块电阻与n型GaN的方块电阻接近时,电流扩展均匀性最好,且p-GaN的接触电阻和厚度越小,电流扩展越不均匀.
針對以藍寶石為襯底的GaN基髮光二極管齣現的電流擴展不均的問題,採用有限元方法建立瞭GaN基髮光二極管的三維網絡模型,併對四種常見結構的器件進行數值模擬,髮現影響二極管電流的因素不僅與髮光二極管電極的位置有關,而且依賴于器件的結構參數.以電流擴展不均為指標確定齣這四種器件中最佳的電極位置分佈,同時對最佳電極位置分佈的器件進行瞭結構參數優化,結果錶明噹p型金屬層方塊電阻與n型GaN的方塊電阻接近時,電流擴展均勻性最好,且p-GaN的接觸電阻和厚度越小,電流擴展越不均勻.
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