物理学报
物理學報
물이학보
2008年
8期
5249-5255
,共7页
邱东江%Wang Jun%丁扣宝%Shi Hong-Jun%郏寅
邱東江%Wang Jun%丁釦寶%Shi Hong-Jun%郟寅
구동강%Wang Jun%정구보%Shi Hong-Jun%겹인
ZnO薄膜%Mn和N共掺杂%电学特性%磁特性
ZnO薄膜%Mn和N共摻雜%電學特性%磁特性
ZnO박막%Mn화N공참잡%전학특성%자특성
以NH3为掺N源,采用电子柬反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zno0.88Mn0.12O:N薄膜,生长温度为300℃,然后在02气氛中400℃退火0.5 h.X射线衍射测量表明,Zno0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zno0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构,未检测到杂质相.与不掺N的Zno0.88Mn0.12O薄膜相比,Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的(002)晶面衍射峰向小角度方向偏移且半高宽变宽.Hall效应测量结果显示,Zno0.88Mn0.12O:N薄膜由退火前的n型导电转变为退火后的P型导电.室温磁特性测量结果表明,虽然原生Zno0.88Mn0.12O:N薄膜呈铁磁性,但其饱和磁化强度M.折算到每个Mn2+仅为约0.20μB,且稳定性不理想,在大气中放置30 d后M.降低到原来的3%左右.退火处理不仅使Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的室温M.增大到每个Mn2+约为0.70μB,且在大气中放置30 d后其M.几乎不变.分析了Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的铁磁性起源及退火导致其铁磁性增强并稳定的机理.
以NH3為摻N源,採用電子柬反應蒸髮技術生長瞭Mn和N共摻雜的Zno0.88Mn0.12O:N薄膜,生長溫度為300℃,然後在02氣氛中400℃退火0.5 h.X射線衍射測量錶明,Zno0.88Mn0.12O(Mn摻雜)薄膜或Zno0.88Mn0.12O:N(Mn和N共摻雜)薄膜仍具有單一晶相纖鋅礦結構,未檢測到雜質相.與不摻N的Zno0.88Mn0.12O薄膜相比,Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的(002)晶麵衍射峰嚮小角度方嚮偏移且半高寬變寬.Hall效應測量結果顯示,Zno0.88Mn0.12O:N薄膜由退火前的n型導電轉變為退火後的P型導電.室溫磁特性測量結果錶明,雖然原生Zno0.88Mn0.12O:N薄膜呈鐵磁性,但其飽和磁化彊度M.摺算到每箇Mn2+僅為約0.20μB,且穩定性不理想,在大氣中放置30 d後M.降低到原來的3%左右.退火處理不僅使Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的室溫M.增大到每箇Mn2+約為0.70μB,且在大氣中放置30 d後其M.幾乎不變.分析瞭Zno0.88Mn0.12O:N薄膜的鐵磁性起源及退火導緻其鐵磁性增彊併穩定的機理.
이NH3위참N원,채용전자간반응증발기술생장료Mn화N공참잡적Zno0.88Mn0.12O:N박막,생장온도위300℃,연후재02기분중400℃퇴화0.5 h.X사선연사측량표명,Zno0.88Mn0.12O(Mn참잡)박막혹Zno0.88Mn0.12O:N(Mn화N공참잡)박막잉구유단일정상섬자광결구,미검측도잡질상.여불참N적Zno0.88Mn0.12O박막상비,Zno0.88Mn0.12O:N박막적(002)정면연사봉향소각도방향편이차반고관변관.Hall효응측량결과현시,Zno0.88Mn0.12O:N박막유퇴화전적n형도전전변위퇴화후적P형도전.실온자특성측량결과표명,수연원생Zno0.88Mn0.12O:N박막정철자성,단기포화자화강도M.절산도매개Mn2+부위약0.20μB,차은정성불이상,재대기중방치30 d후M.강저도원래적3%좌우.퇴화처리불부사Zno0.88Mn0.12O:N박막적실온M.증대도매개Mn2+약위0.70μB,차재대기중방치30 d후기M.궤호불변.분석료Zno0.88Mn0.12O:N박막적철자성기원급퇴화도치기철자성증강병은정적궤리.