半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
8期
705-710
,共6页
刘红兵%王长河%赵彤%李用兵%杨洁
劉紅兵%王長河%趙彤%李用兵%楊潔
류홍병%왕장하%조동%리용병%양길
静电放电%电磁脉冲%辐射损伤
靜電放電%電磁脈遲%輻射損傷
정전방전%전자맥충%복사손상
主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理.实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平.
主要論述瞭電子裝備中易受靜電放電(ESD)和電磁脈遲(EMP)損傷的微波半導體器件的失效模式和失效機理.實驗與理論分析結果錶明,電流放大繫數hFE是ESD、EMP損傷的敏感參數;在ESD、EMP的作用下,器件進入雪崩擊穿狀態(反偏註入),從而誘髮熱電子註入效應,使hFE逐漸退化;BC結反偏時的失效能量低于EB結反偏時的失效能量,BC結是EMP損傷的較易損耑口;改進器件的結構設計、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高電子裝備抗電磁脈遲的可靠性水平.
주요논술료전자장비중역수정전방전(ESD)화전자맥충(EMP)손상적미파반도체기건적실효모식화실효궤리.실험여이론분석결과표명,전류방대계수hFE시ESD、EMP손상적민감삼수;재ESD、EMP적작용하,기건진입설붕격천상태(반편주입),종이유발열전자주입효응,사hFE축점퇴화;BC결반편시적실효능량저우EB결반편시적실효능량,BC결시EMP손상적교역손단구;개진기건적결구설계、제고기건항ESD、EMP능량,가유효제고전자장비항전자맥충적가고성수평.
