固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
4期
365-369
,共5页
许正荣%应海涛%李娜%李小鹏%张有涛%杨磊
許正榮%應海濤%李娜%李小鵬%張有濤%楊磊
허정영%응해도%리나%리소붕%장유도%양뢰
砷化镓%增强型%耗尽型%射频开关%赝配高电子迁移率晶体管
砷化鎵%增彊型%耗儘型%射頻開關%贗配高電子遷移率晶體管
신화가%증강형%모진형%사빈개관%안배고전자천이솔정체관
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点.产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计.测试结果表明,在0.01～5.o GHz带内,插入损耗≤1.2 dB@3 GHz、≤1.6 dB@5 GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60 dB@3 GHz、≥52 dB@5 GHz,1dB压缩功率点达到了30 dBm,IP3超过了+-52 dBm.
採用增彊/耗儘型(E/D)結構的贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)技術,研製開髮的射頻開關,具有插損低、隔離度高、承受功率大、線性度高等特點.產品採用0.5μm柵長的砷化鎵PHEMT E/D標準工藝加工,將開關電路和驅動電路集成在一顆芯片上,併做瞭相應的靜電防護設計.測試結果錶明,在0.01～5.o GHz帶內,插入損耗≤1.2 dB@3 GHz、≤1.6 dB@5 GHz,帶內輸入輸齣駐波比≤1.5,隔離度≥60 dB@3 GHz、≥52 dB@5 GHz,1dB壓縮功率點達到瞭30 dBm,IP3超過瞭+-52 dBm.
채용증강/모진형(E/D)결구적안배고전자천이솔정체관(PHEMT)기술,연제개발적사빈개관,구유삽손저、격리도고、승수공솔대、선성도고등특점.산품채용0.5μm책장적신화가PHEMT E/D표준공예가공,장개관전로화구동전로집성재일과심편상,병주료상응적정전방호설계.측시결과표명,재0.01～5.o GHz대내,삽입손모≤1.2 dB@3 GHz、≤1.6 dB@5 GHz,대내수입수출주파비≤1.5,격리도≥60 dB@3 GHz、≥52 dB@5 GHz,1dB압축공솔점체도료30 dBm,IP3초과료+-52 dBm.
