原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
9期
1118-1122
,共5页
刘马林%刘兵%邵友林%房超
劉馬林%劉兵%邵友林%房超
류마림%류병%소우림%방초
高温气冷堆%核燃料颗粒%SiC包覆层%微观结构分析
高溫氣冷堆%覈燃料顆粒%SiC包覆層%微觀結構分析
고온기랭퇴%핵연료과립%SiC포복층%미관결구분석
高温气冷堆(HTGR)燃料颗粒中的SiC包覆层是阻挡裂变产物释放最为关键的一层.本文采用XRD、Raman光谱以及SEM等方法对不同温度下在大内径喷射流化床内通过化学气相沉积法制备的燃料颗粒SiC包覆层进行微观结构分析,研究SiC包覆层在不同制备条件下的微观结构、成分以及密度变化的影响因素.结果发现,在实验设定的MTS(三氯硅烷)浓度范围内,在1 520～1 600℃之间均可制备出C、Si等杂质不明显的β-SiC包覆层,密度略有差异.通过微观结构分析发现,SiC包覆层密度的变小主要是由包覆层内微孔引起,且此微孔在包覆层内呈线性分布,同时基本位于某一相同的沉积表面,因此,微孔的生成与颗粒流化状态密切相关.可见,改善流化质量应是下一步工艺改进的主要方向.
高溫氣冷堆(HTGR)燃料顆粒中的SiC包覆層是阻擋裂變產物釋放最為關鍵的一層.本文採用XRD、Raman光譜以及SEM等方法對不同溫度下在大內徑噴射流化床內通過化學氣相沉積法製備的燃料顆粒SiC包覆層進行微觀結構分析,研究SiC包覆層在不同製備條件下的微觀結構、成分以及密度變化的影響因素.結果髮現,在實驗設定的MTS(三氯硅烷)濃度範圍內,在1 520～1 600℃之間均可製備齣C、Si等雜質不明顯的β-SiC包覆層,密度略有差異.通過微觀結構分析髮現,SiC包覆層密度的變小主要是由包覆層內微孔引起,且此微孔在包覆層內呈線性分佈,同時基本位于某一相同的沉積錶麵,因此,微孔的生成與顆粒流化狀態密切相關.可見,改善流化質量應是下一步工藝改進的主要方嚮.
고온기랭퇴(HTGR)연료과립중적SiC포복층시조당렬변산물석방최위관건적일층.본문채용XRD、Raman광보이급SEM등방법대불동온도하재대내경분사류화상내통과화학기상침적법제비적연료과립SiC포복층진행미관결구분석,연구SiC포복층재불동제비조건하적미관결구、성분이급밀도변화적영향인소.결과발현,재실험설정적MTS(삼록규완)농도범위내,재1 520～1 600℃지간균가제비출C、Si등잡질불명현적β-SiC포복층,밀도략유차이.통과미관결구분석발현,SiC포복층밀도적변소주요시유포복층내미공인기,차차미공재포복층내정선성분포,동시기본위우모일상동적침적표면,인차,미공적생성여과립류화상태밀절상관.가견,개선류화질량응시하일보공예개진적주요방향.
