固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2000年
2期
216-222
,共7页
陈蒲生%章晓文%冯文修%张昊%曾绍鸿
陳蒲生%章曉文%馮文脩%張昊%曾紹鴻
진포생%장효문%풍문수%장호%증소홍
陷阱特性%雪崩%薄膜%等离子体增强化学气相淀积%热电子注入
陷阱特性%雪崩%薄膜%等離子體增彊化學氣相澱積%熱電子註入
함정특성%설붕%박막%등리자체증강화학기상정적%열전자주입
采用雪崩热电子注入技术研究了富氮SiOxNy纳米级薄膜的陷阱特性.观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用,其密度大过施主型界面电子陷阱.揭示出界面陷阱密度在禁带中分布,其密度随雪崩注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得尤其显著.指出雪崩注入过程中在Si/PECVD SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置及密度大小关系.支持了界面陷阱来源于悬挂键的物理模型,由于本实验的重要结果可用该理论模型圆满地解析.给出PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件,该条件成膜的界面特性良好、耐压范围高、抗雪崩注入能力及其他电子特性也较好.
採用雪崩熱電子註入技術研究瞭富氮SiOxNy納米級薄膜的陷阱特性.觀察到該薄膜存在著受主型電子陷阱,隨著註入的增長、界麵上產生的這種陷阱將起主導作用,其密度大過施主型界麵電子陷阱.揭示齣界麵陷阱密度在禁帶中分佈,其密度隨雪崩註入劑量增加而增大,禁帶上半部增大得尤其顯著.指齣雪崩註入過程中在Si/PECVD SiOxNy界麵上產生兩種性質不同的電子陷阱,併給齣它們在禁帶中的位置及密度大小關繫.支持瞭界麵陷阱來源于懸掛鍵的物理模型,由于本實驗的重要結果可用該理論模型圓滿地解析.給齣PECVD形成納米級薄膜的優化工藝條件,該條件成膜的界麵特性良好、耐壓範圍高、抗雪崩註入能力及其他電子特性也較好.
채용설붕열전자주입기술연구료부담SiOxNy납미급박막적함정특성.관찰도해박막존재착수주형전자함정,수착주입적증장、계면상산생적저충함정장기주도작용,기밀도대과시주형계면전자함정.게시출계면함정밀도재금대중분포,기밀도수설붕주입제량증가이증대,금대상반부증대득우기현저.지출설붕주입과정중재Si/PECVD SiOxNy계면상산생량충성질불동적전자함정,병급출타문재금대중적위치급밀도대소관계.지지료계면함정래원우현괘건적물리모형,유우본실험적중요결과가용해이론모형원만지해석.급출PECVD형성납미급박막적우화공예조건,해조건성막적계면특성량호、내압범위고、항설붕주입능력급기타전자특성야교호.
