半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
3期
297-301
,共5页
潘飞蹊%黄林%廖天康%游志朴
潘飛蹊%黃林%廖天康%遊誌樸
반비혜%황림%료천강%유지박
少数载流子寿命%VF-trr兼容特性%反向漏电流%trr-T稳定特性
少數載流子壽命%VF-trr兼容特性%反嚮漏電流%trr-T穩定特性
소수재류자수명%VF-trr겸용특성%반향루전류%trr-T은정특성
提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结构.利用普通的p+nn+二极管芯片,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质,制备出了掺Au、Pt的MLD快恢复二极管.测试结果表明,虽然这种快恢复二极管正向压降-反恢时间兼容特性略差,且反向漏电流较大,但是具有十分良好的反恢时间-温度的稳定特性,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域.
提齣瞭一種快恢複二極管新結構:少數載流子壽命橫嚮非均勻分佈(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)結構.利用普通的p+nn+二極管芯片,通過掩蔽擴散選擇性地摻入深能級雜質,製備齣瞭摻Au、Pt的MLD快恢複二極管.測試結果錶明,雖然這種快恢複二極管正嚮壓降-反恢時間兼容特性略差,且反嚮漏電流較大,但是具有十分良好的反恢時間-溫度的穩定特性,可以用于對反恢時間變化要求嚴格的領域.
제출료일충쾌회복이겁관신결구:소수재류자수명횡향비균균분포(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)결구.이용보통적p+nn+이겁관심편,통과엄폐확산선택성지참입심능급잡질,제비출료참Au、Pt적MLD쾌회복이겁관.측시결과표명,수연저충쾌회복이겁관정향압강-반회시간겸용특성략차,차반향루전류교대,단시구유십분량호적반회시간-온도적은정특성,가이용우대반회시간변화요구엄격적영역.
