稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
3期
499-501
,共3页
叶好华%于广辉%雷本亮%齐鸣%李爱珍
葉好華%于廣輝%雷本亮%齊鳴%李愛珍
협호화%우엄휘%뢰본량%제명%리애진
GaN%衬底氮化%氢化物气相外延
GaN%襯底氮化%氫化物氣相外延
GaN%츤저담화%경화물기상외연
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布.
研究瞭襯底氮化過程對于氫化物氣相外延(HVPE)方法生長的GaN膜性質的影響.X射線衍射和原子力顯微鏡以及光熒光測量的結果錶明,不同的氮化時間導緻Al2O3 錶麵的成覈層髮生變化,進一步影響瞭外延層中的位錯密度和應力分佈.
연구료츤저담화과정대우경화물기상외연(HVPE)방법생장적GaN막성질적영향.X사선연사화원자력현미경이급광형광측량적결과표명,불동적담화시간도치Al2O3 표면적성핵층발생변화,진일보영향료외연층중적위착밀도화응력분포.
