传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2007年
2期
334-337
,共4页
CMOS图像传感器%光电二极管%光电响应%实验模型%有源像素
CMOS圖像傳感器%光電二極管%光電響應%實驗模型%有源像素
CMOS도상전감기%광전이겁관%광전향응%실험모형%유원상소
在分析CMOS工艺中的N+/P衬底光电二极管光电响应特性的基础上,提出了一个用于光电响应估算的模型.采用chartered 0.35μm 2P4M N阱工艺,设计并制造了一个三管有源像素传感器及其测试电路以获得模型的精确实验数据.根据在室光下测试得到的灵敏度(0.76 V/lx.s)和从像素中提取的电容值,可得电流密度和入射光强度之间的线性系数为7.542×10-4A/m2.lx.这个简单、精确的模型适合在设计CMOS图像传感器中,预测光电二极管和CMOS图像传感器的性能.
在分析CMOS工藝中的N+/P襯底光電二極管光電響應特性的基礎上,提齣瞭一箇用于光電響應估算的模型.採用chartered 0.35μm 2P4M N阱工藝,設計併製造瞭一箇三管有源像素傳感器及其測試電路以穫得模型的精確實驗數據.根據在室光下測試得到的靈敏度(0.76 V/lx.s)和從像素中提取的電容值,可得電流密度和入射光彊度之間的線性繫數為7.542×10-4A/m2.lx.這箇簡單、精確的模型適閤在設計CMOS圖像傳感器中,預測光電二極管和CMOS圖像傳感器的性能.
재분석CMOS공예중적N+/P츤저광전이겁관광전향응특성적기출상,제출료일개용우광전향응고산적모형.채용chartered 0.35μm 2P4M N정공예,설계병제조료일개삼관유원상소전감기급기측시전로이획득모형적정학실험수거.근거재실광하측시득도적령민도(0.76 V/lx.s)화종상소중제취적전용치,가득전류밀도화입사광강도지간적선성계수위7.542×10-4A/m2.lx.저개간단、정학적모형괄합재설계CMOS도상전감기중,예측광전이겁관화CMOS도상전감기적성능.
