南昌航空大学学报（自然科学版）
南昌航空大學學報（自然科學版）
남창항공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2007年
3期
75-79
,共5页
蔡莉%熊波%王应民%李禾
蔡莉%熊波%王應民%李禾
채리%웅파%왕응민%리화
Si(111)%ZnO薄膜%ESEM%EDX%XRD
Si(111)%ZnO薄膜%ESEM%EDX%XRD
Si(111)%ZnO박막%ESEM%EDX%XRD
本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜.以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃,450℃.使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌.实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量.在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向.从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合.
本文採用自行設計PECVD的設備生長ZnO薄膜.以在等離子體作用下的CO2/H2作為氧源,zn(C2H5)2為鋅源,N2為載氣,在Si(111)襯底上生長ZnO薄膜,襯底溫度分彆為400℃,450℃.使用原子力顯微鏡和帶能譜的環境掃描電鏡分析這兩箇ZnO薄膜樣品的錶麵和斷麵組織形貌.實驗結果錶明,襯底溫度直接影響薄膜的結晶質量.在襯底溫度為450℃時生長薄膜樣品,晶粒之間存在有規律的聚集,主要按六方環結構排佈,比在襯底溫度為400℃生長的薄膜的晶粒之間的聚集更有規律,這與XRD測試結果相吻閤;薄膜的斷麵組織形貌圖也進一步證實瞭在襯底溫度為450℃時生長的ZnO薄膜,C軸高度擇優取嚮.從薄膜的斷麵組織形貌圖還可以看到,薄膜與單晶硅襯底之間界麵幾乎是一條直線,樣品經過高溫退火處理,薄膜未齣現裂紋或捲起,說明薄膜與單晶硅之間存在一定的化學鍵閤.
본문채용자행설계PECVD적설비생장ZnO박막.이재등리자체작용하적CO2/H2작위양원,zn(C2H5)2위자원,N2위재기,재Si(111)츤저상생장ZnO박막,츤저온도분별위400℃,450℃.사용원자력현미경화대능보적배경소묘전경분석저량개ZnO박막양품적표면화단면조직형모.실험결과표명,츤저온도직접영향박막적결정질량.재츤저온도위450℃시생장박막양품,정립지간존재유규률적취집,주요안륙방배결구배포,비재츤저온도위400℃생장적박막적정립지간적취집경유규률,저여XRD측시결과상문합;박막적단면조직형모도야진일보증실료재츤저온도위450℃시생장적ZnO박막,C축고도택우취향.종박막적단면조직형모도환가이간도,박막여단정규츤저지간계면궤호시일조직선,양품경과고온퇴화처리,박막미출현렬문혹권기,설명박막여단정규지간존재일정적화학건합.
