微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
2期
267-271
,共5页
蒙特卡罗模拟%太赫兹器件%量子阱%探测器
矇特卡囉模擬%太赫玆器件%量子阱%探測器
몽특잡라모의%태혁자기건%양자정%탐측기
半导体器件的MC(蒙特卡罗)模拟是深入研究小尺寸器件的物理过程中必不可少的工具.设计了一种基于三能带近似模型的MC平台,用来研究太赫兹场作用下GaAs/Al0.03Ga0.97As量子阱光探测器内部电子的输运特性.在这个平台的基础上,很好地研究了太赫兹作用下量子阱光探测器在低温和低电场时的电子输运特性.
半導體器件的MC(矇特卡囉)模擬是深入研究小呎吋器件的物理過程中必不可少的工具.設計瞭一種基于三能帶近似模型的MC平檯,用來研究太赫玆場作用下GaAs/Al0.03Ga0.97As量子阱光探測器內部電子的輸運特性.在這箇平檯的基礎上,很好地研究瞭太赫玆作用下量子阱光探測器在低溫和低電場時的電子輸運特性.
반도체기건적MC(몽특잡라)모의시심입연구소척촌기건적물리과정중필불가소적공구.설계료일충기우삼능대근사모형적MC평태,용래연구태혁자장작용하GaAs/Al0.03Ga0.97As양자정광탐측기내부전자적수운특성.재저개평태적기출상,흔호지연구료태혁자작용하양자정광탐측기재저온화저전장시적전자수운특성.
