云南冶金
雲南冶金
운남야금
YUNNAN METALLURGY
2009年
3期
36-39
,共4页
冯炜光%刘翔%储清梅%张鹏翔
馮煒光%劉翔%儲清梅%張鵬翔
풍위광%류상%저청매%장붕상
太阳电池%PECVD%SiN薄膜
太暘電池%PECVD%SiN薄膜
태양전지%PECVD%SiN박막
由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点,越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜,对其制备工艺研究更深入.在总结最近的研究状况的基础上,提出了PECVD(Plasma enhanced chemistry vapor deposition)制备SiN薄膜的最佳工艺条件:衬衣温度在360℃左右,射频频率为13.56 MHz,射频功率最好在30～20W的范围,[SiH4∶N2]/[NH3]的最佳流速比在4～7之间,退火温度350～400℃最合适,退火时间10 s到10 min.此外,在总结前人研究的基础上认为SiN薄膜中嵌入Si-ncs将会是提高太阳电池效率的一个方向,还有待于进一步研究.
由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜無法相比的優點,越來越廣汎地用做硅太暘電池減反射薄膜,對其製備工藝研究更深入.在總結最近的研究狀況的基礎上,提齣瞭PECVD(Plasma enhanced chemistry vapor deposition)製備SiN薄膜的最佳工藝條件:襯衣溫度在360℃左右,射頻頻率為13.56 MHz,射頻功率最好在30～20W的範圍,[SiH4∶N2]/[NH3]的最佳流速比在4～7之間,退火溫度350～400℃最閤適,退火時間10 s到10 min.此外,在總結前人研究的基礎上認為SiN薄膜中嵌入Si-ncs將會是提高太暘電池效率的一箇方嚮,還有待于進一步研究.
유우SiN박막구유SiO2、TiO2등박막무법상비적우점,월래월엄범지용주규태양전지감반사박막,대기제비공예연구경심입.재총결최근적연구상황적기출상,제출료PECVD(Plasma enhanced chemistry vapor deposition)제비SiN박막적최가공예조건:츤의온도재360℃좌우,사빈빈솔위13.56 MHz,사빈공솔최호재30～20W적범위,[SiH4∶N2]/[NH3]적최가류속비재4～7지간,퇴화온도350～400℃최합괄,퇴화시간10 s도10 min.차외,재총결전인연구적기출상인위SiN박막중감입Si-ncs장회시제고태양전지효솔적일개방향,환유대우진일보연구.
