河北大学学报（自然科学版）
河北大學學報（自然科學版）
하북대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2009年
5期
474-479
,共6页
陈剑辉%刘保亭%孙杰%霍骥川%赵敬伟%王玉强%赵庆勋
陳劍輝%劉保亭%孫傑%霍驥川%趙敬偉%王玉彊%趙慶勛
진검휘%류보정%손걸%곽기천%조경위%왕옥강%조경훈
Pb(Zr0.4Ti0.6)O3%漏电机理%铁电薄膜%脉冲激光沉积
Pb(Zr0.4Ti0.6)O3%漏電機理%鐵電薄膜%脈遲激光沉積
Pb(Zr0.4Ti0.6)O3%루전궤리%철전박막%맥충격광침적
利用准分子脉冲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上制备了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)铁电薄膜.利用掩膜技术,采用磁控溅射法在PZT薄膜上生长Pt上电极,构架了Pt/PZT/Pt铁电电容器异质结.采用X射线衍射和电容耦合测试技术分别表征了PZT铁电薄膜的微结构和电学性能.研究发现:在5 V的测试电压下,在560℃较低的沉积温度下生长的PZT薄膜电容器的剩余极化强度为187 C/m2、矫顽电压为2.0 V、漏电流密度为2.5×10-5A/cm2.应用数学拟合的方法研究了Pt/PZT/Pt的漏电机理,发现当电压小于1.22 V时,Pt/PZT/Pt电容器对应欧姆导电机理;当电压大于2.30 V时,对应非线性的界面肖特基传导(Schottky emission)机理.
利用準分子脈遲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si(111)襯底上製備瞭Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)鐵電薄膜.利用掩膜技術,採用磁控濺射法在PZT薄膜上生長Pt上電極,構架瞭Pt/PZT/Pt鐵電電容器異質結.採用X射線衍射和電容耦閤測試技術分彆錶徵瞭PZT鐵電薄膜的微結構和電學性能.研究髮現:在5 V的測試電壓下,在560℃較低的沉積溫度下生長的PZT薄膜電容器的剩餘極化彊度為187 C/m2、矯頑電壓為2.0 V、漏電流密度為2.5×10-5A/cm2.應用數學擬閤的方法研究瞭Pt/PZT/Pt的漏電機理,髮現噹電壓小于1.22 V時,Pt/PZT/Pt電容器對應歐姆導電機理;噹電壓大于2.30 V時,對應非線性的界麵肖特基傳導(Schottky emission)機理.
이용준분자맥충격광기재Pt/Ti/SiO2/Si(111)츤저상제비료Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)철전박막.이용엄막기술,채용자공천사법재PZT박막상생장Pt상전겁,구가료Pt/PZT/Pt철전전용기이질결.채용X사선연사화전용우합측시기술분별표정료PZT철전박막적미결구화전학성능.연구발현:재5 V적측시전압하,재560℃교저적침적온도하생장적PZT박막전용기적잉여겁화강도위187 C/m2、교완전압위2.0 V、루전류밀도위2.5×10-5A/cm2.응용수학의합적방법연구료Pt/PZT/Pt적루전궤리,발현당전압소우1.22 V시,Pt/PZT/Pt전용기대응구모도전궤리;당전압대우2.30 V시,대응비선성적계면초특기전도(Schottky emission)궤리.
