纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2011年
1期
11-15
,共5页
施长治%崔虹云%刘晓为%揣荣岩%李智
施長治%崔虹雲%劉曉為%揣榮巖%李智
시장치%최홍운%류효위%췌영암%리지
多晶硅%纳米薄膜%电学修正%电流致重结晶%薄膜厚度
多晶硅%納米薄膜%電學脩正%電流緻重結晶%薄膜厚度
다정규%납미박막%전학수정%전류치중결정%박막후도
为了提高基于多晶硅纳米薄膜的压阻传感器的性能及成品率,对不同厚度多晶硅薄膜的电阻电学修正特性进行了研究.采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,620 ℃下制备多晶硅薄膜.通过固相扩散法实现高掺硼,并基于光刻工艺制作成电阻.实验结果表明,在薄膜电阻上施加高于阈值的电流,可有效降低电阻值.薄膜厚度的变化改变了薄膜结晶度及晶粒尺寸,从而影响其修正阈值电流密度及修正速率.用所建立的晶界填隙原子-空位对模型对电学修正现象进行了理论分析,认为该现象是大电流激励产生的焦耳热导致晶界发生逐层重结晶,从而增大载流子迁移率的结果.研究表明,该方法可用于高掺杂多晶硅电阻的封装后调阻.
為瞭提高基于多晶硅納米薄膜的壓阻傳感器的性能及成品率,對不同厚度多晶硅薄膜的電阻電學脩正特性進行瞭研究.採用低壓化學氣相澱積(LPCVD)工藝,620 ℃下製備多晶硅薄膜.通過固相擴散法實現高摻硼,併基于光刻工藝製作成電阻.實驗結果錶明,在薄膜電阻上施加高于閾值的電流,可有效降低電阻值.薄膜厚度的變化改變瞭薄膜結晶度及晶粒呎吋,從而影響其脩正閾值電流密度及脩正速率.用所建立的晶界填隙原子-空位對模型對電學脩正現象進行瞭理論分析,認為該現象是大電流激勵產生的焦耳熱導緻晶界髮生逐層重結晶,從而增大載流子遷移率的結果.研究錶明,該方法可用于高摻雜多晶硅電阻的封裝後調阻.
위료제고기우다정규납미박막적압조전감기적성능급성품솔,대불동후도다정규박막적전조전학수정특성진행료연구.채용저압화학기상정적(LPCVD)공예,620 ℃하제비다정규박막.통과고상확산법실현고참붕,병기우광각공예제작성전조.실험결과표명,재박막전조상시가고우역치적전류,가유효강저전조치.박막후도적변화개변료박막결정도급정립척촌,종이영향기수정역치전류밀도급수정속솔.용소건립적정계전극원자-공위대모형대전학수정현상진행료이론분석,인위해현상시대전류격려산생적초이열도치정계발생축층중결정,종이증대재류자천이솔적결과.연구표명,해방법가용우고참잡다정규전조적봉장후조조.
