高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2011年
1期
77-82
,共6页
沈珮%张万荣%金冬月%谢红云%黄毅文
瀋珮%張萬榮%金鼕月%謝紅雲%黃毅文
침패%장만영%금동월%사홍운%황의문
低噪声放大器(LNA)%SiGe异质结双极晶体管%超宽带(UWB)%阻抗匹配%噪声系数
低譟聲放大器(LNA)%SiGe異質結雙極晶體管%超寬帶(UWB)%阻抗匹配%譟聲繫數
저조성방대기(LNA)%SiGe이질결쌍겁정체관%초관대(UWB)%조항필배%조성계수
设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA).因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本.在新型放大器的反馈支路中,使用了复合分布式电阻和隔直流电容,代替了传统的单一电阻.用这种方式设计的LNA,仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配,同时不牺牲偏置.最终设计出的LNA版图面积仅为0.144mm2.仿真实验显示,在3.1～10GHz超宽频带内,新型UWB LNA实现了低于4.5dB的噪声系数、高达20dB的增益(增益平坦度仅为1.032dB),小于1.637的输出端驻波比,大于2.3的稳定因子.此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义.
設計瞭一款具有電阻反饋的新型超寬帶(UWB)SiGe HBT低譟聲放大器(LNA).因為摒棄瞭使用佔片麵積大的電感,所以極大節省瞭放大器的芯片麵積和製作成本.在新型放大器的反饋支路中,使用瞭複閤分佈式電阻和隔直流電容,代替瞭傳統的單一電阻.用這種方式設計的LNA,僅通過調整與電容串聯的電阻就可以極大地改善放大器的耑口匹配,同時不犧牲偏置.最終設計齣的LNA版圖麵積僅為0.144mm2.倣真實驗顯示,在3.1～10GHz超寬頻帶內,新型UWB LNA實現瞭低于4.5dB的譟聲繫數、高達20dB的增益(增益平坦度僅為1.032dB),小于1.637的輸齣耑駐波比,大于2.3的穩定因子.此研究成果對設計開髮低成本、高性能的單片UWB LNA具有重要指導意義.
설계료일관구유전조반궤적신형초관대(UWB)SiGe HBT저조성방대기(LNA).인위병기료사용점편면적대적전감,소이겁대절성료방대기적심편면적화제작성본.재신형방대기적반궤지로중,사용료복합분포식전조화격직류전용,대체료전통적단일전조.용저충방식설계적LNA,부통과조정여전용천련적전조취가이겁대지개선방대기적단구필배,동시불희생편치.최종설계출적LNA판도면적부위0.144mm2.방진실험현시,재3.1～10GHz초관빈대내,신형UWB LNA실현료저우4.5dB적조성계수、고체20dB적증익(증익평탄도부위1.032dB),소우1.637적수출단주파비,대우2.3적은정인자.차연구성과대설계개발저성본、고성능적단편UWB LNA구유중요지도의의.
