微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
141-145
,共5页
陈良月%俞汉扬%李昕%杨涛%武文娟%高怀
陳良月%俞漢颺%李昕%楊濤%武文娟%高懷
진량월%유한양%리흔%양도%무문연%고부
宽带功率放大器%双反馈环%自适应线性化偏置%异质结双极晶体管
寬帶功率放大器%雙反饋環%自適應線性化偏置%異質結雙極晶體管
관대공솔방대기%쌍반궤배%자괄응선성화편치%이질결쌍겁정체관
提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度.利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了宽带匹配,拓展了放大器的带宽.采用微波电路仿真软件AWR进行仿真,验证了带宽范围内的相位偏离度在2°以内.基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了集成电路版图并成功流片.测试结果表明:在3.5V电压供电下,该放大器在1～2.5 GHz频带范围内,输入反射系数均在-10 dB以下,功率增益为23 dB,输出功率大于30 dBm,误差向量幅度在2.412 GHz时为.2.7％@24 dBm,最大功率附加效率达40％.
提齣一種自適應線性化偏置的電路結構,通過調節控製電壓改變偏置管的工作狀態,提高功率放大電路的線性度,降低偏置電流對參攷電壓和環境溫度的敏感度.利用雙反饋環結構抑製輸入阻抗隨頻率的變化,實現瞭寬帶匹配,拓展瞭放大器的帶寬.採用微波電路倣真軟件AWR進行倣真,驗證瞭帶寬範圍內的相位偏離度在2°以內.基于2μm InGaP/GaAs HBT工藝,設計瞭集成電路版圖併成功流片.測試結果錶明:在3.5V電壓供電下,該放大器在1～2.5 GHz頻帶範圍內,輸入反射繫數均在-10 dB以下,功率增益為23 dB,輸齣功率大于30 dBm,誤差嚮量幅度在2.412 GHz時為.2.7％@24 dBm,最大功率附加效率達40％.
제출일충자괄응선성화편치적전로결구,통과조절공제전압개변편치관적공작상태,제고공솔방대전로적선성도,강저편치전류대삼고전압화배경온도적민감도.이용쌍반궤배결구억제수입조항수빈솔적변화,실현료관대필배,탁전료방대기적대관.채용미파전로방진연건AWR진행방진,험증료대관범위내적상위편리도재2°이내.기우2μm InGaP/GaAs HBT공예,설계료집성전로판도병성공류편.측시결과표명:재3.5V전압공전하,해방대기재1～2.5 GHz빈대범위내,수입반사계수균재-10 dB이하,공솔증익위23 dB,수출공솔대우30 dBm,오차향량폭도재2.412 GHz시위.2.7％@24 dBm,최대공솔부가효솔체40％.
