微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
6期
473-476
,共4页
刘伦才%王若虚%张正璠%李儒章
劉倫纔%王若虛%張正璠%李儒章
류륜재%왕약허%장정번%리유장
SiGe器件%双极晶体管%异质结双极晶体管
SiGe器件%雙極晶體管%異質結雙極晶體管
SiGe기건%쌍겁정체관%이질결쌍겁정체관
从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发射区/基区/集电区设计.最后,以一个100 GHz fmax和fT的HBT为例,对电路制作工艺参数进行了讨论.
從理論分析角度介紹瞭優化SiGe異質結晶體管速度的方法.結閤雙闆晶體管的工藝限製,介紹瞭SiGe HBT的基本原理,討論瞭SiGe HBT的髮射區/基區/集電區設計.最後,以一箇100 GHz fmax和fT的HBT為例,對電路製作工藝參數進行瞭討論.
종이론분석각도개소료우화SiGe이질결정체관속도적방법.결합쌍판정체관적공예한제,개소료SiGe HBT적기본원리,토론료SiGe HBT적발사구/기구/집전구설계.최후,이일개100 GHz fmax화fT적HBT위례,대전로제작공예삼수진행료토론.
