人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2007年
2期
253-255
,共3页
HgInTe%晶体生长%垂直布里奇曼法%光电半导体材料%近红外探测器
HgInTe%晶體生長%垂直佈裏奇曼法%光電半導體材料%近紅外探測器
HgInTe%정체생장%수직포리기만법%광전반도체재료%근홍외탐측기
以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体.X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体.
以高純Hg、In、Te單質為原料,在搖襬閤料爐中成功地閤成瞭HgInTe多晶原料,併且利用該多晶原料,在特殊設計的坩堝中,成功地生長瞭HgInTe單晶體.X射線衍射分析證明,所生長的HgInTe晶體為缺陷閃鋅礦結構,晶格常數a=0.6293nm,是一種高質量的完整單晶體.
이고순Hg、In、Te단질위원료,재요파합료로중성공지합성료HgInTe다정원료,병차이용해다정원료,재특수설계적감과중,성공지생장료HgInTe단정체.X사선연사분석증명,소생장적HgInTe정체위결함섬자광결구,정격상수a=0.6293nm,시일충고질량적완정단정체.
