人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
3期
644-647
,共4页
硅纳米线%气-液-固机理%硅衬底
硅納米線%氣-液-固機理%硅襯底
규납미선%기-액-고궤리%규츤저
采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05 M FeCl2·6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构.试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式.
採用以硅襯底為硅源的簡單方法,在蘸有一層催化劑(0.05 M FeCl2·6H2O)薄膜的硅基片上直接製備瞭大量的單晶Si納米線.用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)分彆觀察瞭硅納米線的形貌及單根Si納米線的顯微結構.試驗結果錶明:隨著溫度的升高,納米線的直徑增大;催化劑是Si納米線生成的重要因素,沒有沉積催化劑的硅基片上不會有硅納米線的生成,且該硅納米線的生長機理為典型的氣-液-固模式.
채용이규츤저위규원적간단방법,재잠유일층최화제(0.05 M FeCl2·6H2O)박막적규기편상직접제비료대량적단정Si납미선.용소묘전자현미경(SEM)、투사전자현미경(TEM)분별관찰료규납미선적형모급단근Si납미선적현미결구.시험결과표명:수착온도적승고,납미선적직경증대;최화제시Si납미선생성적중요인소,몰유침적최화제적규기편상불회유규납미선적생성,차해규납미선적생장궤리위전형적기-액-고모식.
