压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列
압인기술제비초고밀도Si2Sb2Te5기상변존저진렬
Si2Sb2Te5 Based Ultra-High-Density PCRAM Arrays Fabricated by UV-IL
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2009年 1期 45-49 ,共5页

    刘彦伯%闵国全%宋志棠%周伟民%张静%张挺%万永中%李小丽%张剑平

    류언백%민국전%송지당%주위민%장정%장정%만영중%리소려%장검평

    紫外压印%高密度相变存储器阵列%Si2Sb2Te5存储单元%标准差(σ)%相变 紫外壓印%高密度相變存儲器陣列%Si2Sb2Te5存儲單元%標準差(σ)%相變
    자외압인%고밀도상변존저기진렬%Si2Sb2Te5존저단원%표준차(σ)%상변
    采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4 G bit/inch2存储阵列，存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6 nm;利用AFM研究了SST存储单元的Ⅰ-Ⅴ特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级.实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值.
    채용저성본、고효솔적압인기술실현료고밀도상변존저기(PCRAM)존저진렬적제비,개발출Si2Sb2Te5(SST)신재료적4 G bit/inch2존저진렬，존저단원면적위0.04μm2;이용SEM관측압인획득적광각효도형진렬이급각식후적SST존저진렬,기단원외형균구유고도적일치성,차단원특정척촌적3배표준차균소우6 nm;이용AFM연구료SST존저단원적Ⅰ-Ⅴ특성,역치전압위1.56V,고、저전조태조치변화초과량개수량급.실험결과표명료SST신재료급압인기술재PCRAM심편중적응용개치.
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