半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
3期
324-326,353
,共4页
锁钒%于军胜%邓静%黎威志%蒋亚东
鎖釩%于軍勝%鄧靜%黎威誌%蔣亞東
쇄범%우군성%산정%려위지%장아동
聚合物%聚[2-甲氧基5(2'-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑]%橙红光
聚閤物%聚[2-甲氧基5(2'-乙烯基-己氧基)聚對苯乙烯撐]%橙紅光
취합물%취[2-갑양기5(2'-을희기-기양기)취대분을희탱]%등홍광
以聚合物聚[2-甲氧基-5-(2'-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)为发光层,采用旋涂方法制备了两种不同结构的有机电致发光器件(OLED),分别为:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.对两种器件的电致发光谱、J-V曲线和L-V曲线等发光特性进行了分析研究.对比发现,采用BCP为空穴阻挡层的结构具有较大的发光亮度和较高的发光效率.根据能级理论对上述实验结果进行了初步的理论分析,并对器件性能差异的原因进行了解释.
以聚閤物聚[2-甲氧基-5-(2'-乙烯基-己氧基)聚對苯乙烯撐](MEH-PPV)為髮光層,採用鏇塗方法製備瞭兩種不同結構的有機電緻髮光器件(OLED),分彆為:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.對兩種器件的電緻髮光譜、J-V麯線和L-V麯線等髮光特性進行瞭分析研究.對比髮現,採用BCP為空穴阻擋層的結構具有較大的髮光亮度和較高的髮光效率.根據能級理論對上述實驗結果進行瞭初步的理論分析,併對器件性能差異的原因進行瞭解釋.
이취합물취[2-갑양기-5-(2'-을희기-기양기)취대분을희탱](MEH-PPV)위발광층,채용선도방법제비료량충불동결구적유궤전치발광기건(OLED),분별위:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag화ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.대량충기건적전치발광보、J-V곡선화L-V곡선등발광특성진행료분석연구.대비발현,채용BCP위공혈조당층적결구구유교대적발광량도화교고적발광효솔.근거능급이론대상술실험결과진행료초보적이론분석,병대기건성능차이적원인진행료해석.
