人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
5期
1119-1123
,共5页
王彬%赵子文%邱宇%马金雪%张贺秋%胡礼中
王彬%趙子文%邱宇%馬金雪%張賀鞦%鬍禮中
왕빈%조자문%구우%마금설%장하추%호례중
ZnO薄膜%磁控溅射%结晶质量%退火处理
ZnO薄膜%磁控濺射%結晶質量%退火處理
ZnO박막%자공천사%결정질량%퇴화처리
利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.
利用磁控濺射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)襯底上生長ZnO薄.對生長的ZnO薄膜後分彆進行瞭800 ℃退火和1000 ℃退火處理.利用X射線衍射(XRD)、霍爾測試儀和透射譜儀對薄膜的結構、電學和光學性質進行瞭研究,結果錶明閤適的生長溫度和退火溫度能夠提高ZnO薄膜的結晶質量和性能.
이용자공천사법우500 ℃、550 ℃、600 ℃화650 ℃하재Al2O3(001)츤저상생장ZnO박.대생장적ZnO박막후분별진행료800 ℃퇴화화1000 ℃퇴화처리.이용X사선연사(XRD)、곽이측시의화투사보의대박막적결구、전학화광학성질진행료연구,결과표명합괄적생장온도화퇴화온도능구제고ZnO박막적결정질량화성능.
